L’azienda amplia la collaborazione con Globalfoundries per produrre wafer di ultima generazione e dare sostegno all’industria americana, anche nelle applicazioni IoT. Lo stabilimento nello Stato di New York sarà potenziato anche grazie alle sovvenzioni dell’Us Chips Act
Qualcomm e Globalfoundries hanno esteso il loro accordo globale di collaborazione per la produzione di chip mettendo un ulteriore accento sulla manifattura nelle fabbriche degli Stati Uniti e sulle applicazioni per 5G, IoT e automotive. La nuova intesa al 2028 più che raddoppia la capacità produttiva dei precedenti accordi tra le due partner.
L’annuncio è stato dato in occasione di un Summit di Ceo dell’industria dei semiconduttori che si è tenuto a Washington D.C. L’accordo assicura a Qualcomm una cospicua fornitura di wafer e rappresenta un impegno da parte di Qualcomm e Gf a dare sostegno alla produzione industriale degli Stati Uniti grazie all’allargamento della capacità del più avanzato stabilimento di Gf per la fabbricazione di semiconduttori, quello a Malta, nello stato di New York.
Non a caso il Ceo Summit è stato ospitato da Gf, Ford e Applied Materials e vi hanno preso parte, oltre ai top executive della filiera dei chip, il direttore del National economic council, Brian Deese, il sottosegretario alla Difesa per l’ambito acquisition & sustainability, William LaPlante, e il direttore senior del National security council per la sezione Technology & national security, Tarun Chhabra, a conferma dell’importanza strategica dei semiconduttori anche per la sicurezza nazionale.
Applicazioni mobili, automotive e IoT di fascia alta
L’estensione dell’accordo tra Qualcomm (tramite Qgt) e Gf amplia, specificamente, la collaborazione nel territorio americano per la produzione dei transistor FinFet per transreceiver 5G, wifi, automotive e connettività IoT. Le piattaforme FinFet di Gf, si legge in una nota di Qualcomm, offrono la miglior combinazione di prestazioni, potenza e area che serve per le applicazioni mobili, automotive e IoT di fascia alta.
Globalfoundries fabbrica già da alcuni anni i chip di Qualcomm ad alte prestazioni. In particolare, nel 2021, la divisione Qualcomm global trading (Qgt), è stata uno dei primi clienti di Gf ad assicurarsi un accordo per una fornitura di lungo termine che copre diverse tecnologie e mercati geografici. L’accordo di un anno fa ha garantito capacità produttiva 22Fdx negli stabilimenti tedeschi di Gf, a Dresda, nonché capacità nel prossimo impianto di Gf a Crolles, in Francia.
Qgt si è anche assicurata capacità nelle tecnologie di Gf Rfsoi 8 Sw per i moduli front-end (Fem) 5G Sub 6GHz, che saranno realizzati principalmente negli stabilimenti di Gf a Singapore, oggetto di un ampliamento che sarà operativo all’inizio del 2023.
Il Chips act americano sostiene la produzione interna
L’annuncio dell’espansione della capacità di Globalfoundries negli Usa è in diretta connessione con l’approvazione dello Us Chips and Science act della scorsa settimana, che ha sbloccato 52 miliardi di dollari di sussidi federali per gli impianti produttivi di chip negli Stati Uniti più 24 miliardi di dollari di copertura per gli sgravi fiscali a chi investe in fabbriche di chip. Gf potrà finanziare l’espansione negli impianti di Malta, NY, grazie a questi sussidi e all’investimento di Qualcomm, che a sua volta godrà di un credito di imposta.
“Con incentivi così importanti da parte del governo alla produzione di microchip negli Stati Uniti mi aspetto molti altri annunci come questo”, ha commentato il leader della maggioranza al Senato, Chuck Schumer.
Gf trae beneficio anche dal sostegno che l’Unione europea ha garantito alla produzione di chip nel territorio Ue: ha già annunciato un’alleanza con StMicroelectronics per costruire a Crolles una fabbrica da 5,7 miliardi di dollari.
Il nuovo impianto francese supporterà varie tecnologie, in particolare le tecnologie basate sulla Fd-Soi, e coprirà diverse varianti, arrivando a produrre fino a 620.000 wafer da 300 mm l’anno. Si tratta di un importante contributo agli obiettivi del Chips act europeo, compreso quello di portare l’Ue a produrre internamente il 20% del totale mondiale di semiconduttori prodotti nel 2030.
Articolo a cura di Patrizia Licata, CorCom
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